公司發(fā)布2019 年業(yè)績快報，報告期內(nèi)實現(xiàn)營業(yè)收入40.58 億元，同比增長22.10%，實現(xiàn)歸母凈利潤3.09 億元，同比增長32.34%。
評論：
集成電路工藝裝備及電子元器件業(yè)務(wù)實現(xiàn)良好發(fā)展，收入及盈利能力穩(wěn)步增長。公司高端集成電路工藝設(shè)備研發(fā)取得突破性進展，多款新產(chǎn)品相繼推向市場，持續(xù)獲得行業(yè)大客戶采購訂單；精密電子元器件新產(chǎn)品競爭發(fā)力，市場占有率穩(wěn)步提升。公司持續(xù)進行技術(shù)及產(chǎn)品創(chuàng)新，積極開拓市場，成效顯著，競爭優(yōu)勢進一步增強，疊加國內(nèi)晶圓、存儲廠密集擴產(chǎn)，公司全年業(yè)務(wù)發(fā)展良好。
報告期內(nèi)，公司實現(xiàn)營業(yè)收入40.58 億元，同比增長22.10%，實現(xiàn)歸母凈利潤3.09 億元，同比增長32.34%，19Q4 實現(xiàn)營業(yè)收入13.21 億元，同比/環(huán)比分別增長8.07%和22.09%，營收逐季提升，19Q4 實現(xiàn)歸母凈利潤0.90 億元，同比提升37.78%，環(huán)比略有下滑。公司成本費用得到有效控制，全年凈利率同比上提0.59pct 至7.62%。
戰(zhàn)略項目前瞻性布局，股權(quán)激勵彰顯信心，公司發(fā)展動力十足。年內(nèi)公司通過非公開發(fā)行融資20 億元，啟動高端集成電路裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目和高精密電子元器件產(chǎn)業(yè)化基地擴產(chǎn)項目，計劃在28nm 設(shè)備基礎(chǔ)上進一步實現(xiàn)14nm設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化，投入刻蝕機、PVD、ALD、退火設(shè)備、立式爐及清洗機的產(chǎn)業(yè)化驗證，并針對刻蝕機、PVD、立式爐、清洗機進行關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)投入，開展5/7nm 設(shè)備的關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)。此外，今年初，公司股權(quán)激勵正式落地，核心員工利益與公司利益深度綁定，業(yè)績考核目標(biāo)明確，彰顯對未來經(jīng)營的強大信心，公司發(fā)展?jié)摿τ型M一步釋放。
產(chǎn)業(yè)周期疊加競爭力持續(xù)增強，市占率有望進一步提升。2019 下半年以來，國內(nèi)晶圓及存儲廠投產(chǎn)進度明顯加快，長鑫存儲、武漢新芯二期、粵芯半導(dǎo)體、燕東微電子、華虹無錫、時代芯存等一批產(chǎn)線正式投產(chǎn)，意味著本土廠商技術(shù)成熟度及量產(chǎn)穩(wěn)定性逐步提升，有望進一步拉動設(shè)備國產(chǎn)化進程。公司刻蝕機、PVD、退火、氧化爐等半導(dǎo)體工藝設(shè)備陸續(xù)批量進入國內(nèi)8 寸和12 寸集成電路存儲芯片、邏輯芯片及特色芯片生產(chǎn)線，部分產(chǎn)品進入國際一流芯片產(chǎn)線及先進封裝線。去年11 月，ICRD 采用公司NMC612D 電感耦合等離子體（ICP）刻蝕機等國產(chǎn)設(shè)備完成了14nmFinFETSADP 相關(guān)工藝的自主開發(fā)，各項工藝指標(biāo)均達到量產(chǎn)要求。公司產(chǎn)品競爭力持續(xù)增強，有望受益半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代進程市占率穩(wěn)步提升。
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